| 摘要 |
第１導電型の半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層と、真性層の一部を被覆する第１導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第１導電型層と、第２導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第２導電型層と、絶縁層とを備え、第１電極は、第２導電型層を介して、第１導電型層上に設けられているとともに、第１電極の少なくとも一部が第１導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置しており、第２電極の少なくとも一部が第２導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置している光電変換素子である。 |
