发明名称 |
ガスバリアー性フィルムの製造方法、ガスバリアー性フィルム及び電子デバイス |
摘要 |
本発明の課題は、電子デバイス用途に必要なガスバリアー性を有し、かつフレキシブル性(屈曲性)及び密着性に優れたガスバリアー性フィルムの製造方法を提供することである。本発明のガスバリアー性フィルムの製造方法は、樹脂基材の一方の面上に平滑化層を形成し、当該平滑化層の表面上に炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子を含有するガスバリアー層を形成するガスバリアー性フィルムの製造方法であって、当該平滑化層の表面の23℃、50%RHの環境下における表面自由エネルギーの分散成分が30〜40mN/mの範囲内となるように調整し、かつ当該平滑化層の表面上に有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加したローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により、ガスバリアー層を形成することを特徴とする。 |
申请公布号 |
JPWO2014163062(A1) |
申请公布日期 |
2017.02.16 |
申请号 |
JP20150510086 |
申请日期 |
2014.04.01 |
申请人 |
コニカミノルタ株式会社 |
发明人 |
江連 秀敏 |
分类号 |
C23C16/50;B32B9/00;C23C16/02;C23C16/54;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
主分类号 |
C23C16/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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