发明名称 MgO−TiO焼結体ターゲット及びその製造方法
摘要 TiOを25〜90mol%含有し、残部がMgO及び不可避的不純物からなるMgO−TiO焼結体。本発明は、成膜速度が速く、パーティクルの発生が少ない直流(DC)スパッタリングが可能な高密度のターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。【選択図】図1
申请公布号 JPWO2014156497(A1) 申请公布日期 2017.02.16
申请号 JP20140543701 申请日期 2014.03.04
申请人 JX金属株式会社 发明人 高見 英生;中村 祐一郎;荒川 篤俊;荻野 真一
分类号 C04B35/04;C04B35/48 主分类号 C04B35/04
代理机构 代理人
主权项
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