| 摘要 |
【課題】窒化珪素基板と導体層とを、比較的薄い厚みの接合層によって有効に接合させることにより、微細な回路パターンを形成可能とし、また所要の放熱性能を発揮することのできる金属セラミック接合基板及び、その製造方法を提供する。【解決手段】この発明の金属セラミック接合基板１は、窒化珪素基板２の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層３を積層してなるものであって、前記窒化珪素基板２と導体層３との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む接合層４が介在し、該接合層４の介在下で、前記窒化珪素基板２と導体層３とが接合されてなるものである。【選択図】図１ |
