半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

摘要

半導体装置の製造方法は、シリコン基板（101）上に平面状シリコン層（107）を形成し、平面状シリコン層上に第１及び第２の柱状シリコン層（104,105）とを形成する第１の工程と、第１及び第２の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜（113）を形成し、ゲート絶縁膜の周囲に金属膜（115）及びポリシリコン膜（116）を成膜し、ポリシリコン膜の膜厚を第１及び第２の柱状シリコン層との間の間隔の半分の長さよりも薄くし、第３のレジスト（117）を堆積し、第１及び第２の柱状半導体層の上部側壁のポリシリコン膜を露出させ、露出したポリシリコン膜をエッチングにより除去し、第３のレジストを剥離し、金属膜をエッチングにより除去する第２の工程と、ゲート配線（119c）を形成するための第４のレジスト（118）を形成し、異方性エッチングを行い、ゲート配線、第１のゲート電極、及び第２のゲート電極を形成する第３の工程と、を有する。