| 摘要 |
パワー半導体素子（１００）は、第１ゲート電極と第１ドレイン電極と第１ソース電極とを有するメイントランジスタ（１０１）と、第２ゲート電極と第２ドレイン電極と第２ソース電極とを有するセンサトランジスタ（１０２）と、第３ゲート電極と第３ドレイン電極と第３ソース電極とを有するゲートスイッチトランジスタ（１０３）とを備え、第１ゲート電極と第２ゲート電極と第３ドレイン電極とが接続され、第１ドレイン電極と第２ドレイン電極とが接続され、第１ソース電極と第２ソース電極とが、センサ抵抗（１０４）を介して接続され、第１ソース電極と第３ソース電極とが接続され、第２ソース電極と第３ゲート電極とが、スイッチ抵抗（１０５）を介して接続され、メイントランジスタ（１０１）、センサトランジスタ（１０２）及びゲートスイッチトランジスタ（１０３）は、窒化物半導体で形成されている。 |
