| 摘要 |
安価に製造でき、高周波特性のバラツキが抑制された半導体デバイスを提供する。内部整合回路基板（１０７，１０８）が、入力端子（１０２）と半導体素子（１０６）との間の入力側の信号伝送経路、および半導体素子と出力端子（１０３）との間の出力側の信号伝送経路の少なくとも一方の信号伝送経路に配置され、入力端子に接続される外部回路の出力インピーダンスと半導体デバイスの入力インピーダンス、または出力端子に接続される外部回路の入力インピーダンスと半導体デバイスの出力インピーダンスの少なくとも一方を整合させるために設けられ、ワイヤ長が変化すると半導体デバイスの高周波特性が許容値を超えて変化する少なくとも１つのワイヤ（１１１）により電気的に接続される部品同士を接触した状態でパッケージ内部に配置している。 |
