发明名称 半導体物理量センサ装置
摘要 【課題】出力特性の非直線性を低減させることができる半導体物理量センサ装置を提供すること。【解決手段】センサ部1および特性補正回路3の高電位側と電源端子11との間は、第1,3電源配線S1a,S1により接続される。増幅回路2および基準電圧回路4の高電位側と電源端子11との間は、第2,4電源配線S2a,S2により接続される。センサ部1、増幅回路2、特性補正回路3および基準電圧回路4の低電位側は接地端子13に接続される。第3電源配線S1にはCRフィルタ5が接続される。第4電源配線S2には、第1抵抗8が接続される。出力端子12と接地端子13との間には第2抵抗9が接続される。増幅回路2は、プッシュプル出力型オペアンプである。センサ部1の出力特性の非直線性を打ち消すよう、増幅回路2の出力特性を逆特性の非直線性にする第1抵抗8の抵抗値Rs2が設定される。【選択図】図1
申请公布号 JP2017037024(A) 申请公布日期 2017.02.16
申请号 JP20150159265 申请日期 2015.08.11
申请人 富士電機株式会社 发明人 西川 睦雄;柄澤 克也;松並 和宏
分类号 G01L9/00;H01L29/84 主分类号 G01L9/00
代理机构 代理人
主权项
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