发明名称 窒化物半導体発光ダイオード及び窒化物半導体発光ダイオードの製造方法
摘要 【課題】高品質かつ低コストで、光取り出し効率が高い窒化物半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】異種基板1と、第1のIII族窒化物半導体層2と、酸化物又は窒化物で構成され、周期的なパターンを形成したマスク3と、マスク3越しに第1のIII族窒化物半導体層2の上にエピタキシャル成長した第2のIII族窒化物半導体層4と、第1の導電型窒化物半導体層11、第2の導電型窒化物半導体層13及び電極14、15を有する発光構造10と、を有し、発光構造10の発光波長をλとすると、マスク3のパターンの周期は0.85λ以上1.15λ以下であり、パターンが周期性を備える方向のマスク3の幅は0.25λ以上0.60λ以下であり、マスク3の厚さは0.15λ以上0.70λ以下、又は、1.25λ以上1.80λ以下である窒化物半導体発光ダイオード100。【選択図】図1
申请公布号 JP2017038006(A) 申请公布日期 2017.02.16
申请号 JP20150159393 申请日期 2015.08.12
申请人 学校法人金沢工業大学;古河機械金属株式会社 发明人 山口 敦史;碓井 彰;後藤 裕輝
分类号 H01L33/32;H01L21/205;H01L21/3065 主分类号 H01L33/32
代理机构 代理人
主权项
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