| 摘要 |
【課題】簡易なプロセスで、トランジスタ特性のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、複数のゲート電極を形成する工程と、複数のゲート電極間を埋め込むように複数のゲート電極上に第１の絶縁膜を形成する工程と、第２の絶縁膜を第１の絶縁膜上に形成する工程と、第３の絶縁膜を第２の絶縁膜上に形成する工程と、第３の絶縁膜上に感光体パターンを形成する工程と、感光体パターンをマスクとしてエッチングすることにより第１から第３の絶縁膜を貫通して半導体基板に達する溝を形成する工程と、感光体パターンを除去する工程と、露出した第３の絶縁膜をマスクとしてエッチングすることにより溝を半導体基板の内部に延伸させる工程と、第３の絶縁膜と第２の絶縁膜とを除去する工程と、溝内と第１の絶縁膜上とに第４の絶縁膜を形成する工程とを備える。【選択図】図５ |
