窒化物半導体デバイス,申请号JP20150158428-传众专利搜索

发明名称	窒化物半導体デバイス
摘要	【課題】ドレイン側またはカソード側におけるオフ時の電界強度を緩和できる窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】フィンガー部１９３、第１連結部１９４および第２連結部１９５を有するゲート電極１９と、第１端部１８１および第２端部１８２を有するライン状のドレイン電極１８とを含む。ドレイン電極１８の第１および第２端部１８１、１８２が、ゲート電極１９の第１および第２連結部１９４、１９５よりも突出している。【選択図】図３
申请公布号	JP2017037966(A)	申请公布日期	2017.02.16
申请号	JP20150158428	申请日期	2015.08.10
申请人	ローム株式会社	发明人	田中岳利
分类号	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;H01L29/872	主分类号	H01L21/338
代理机构		代理人
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