| 摘要 |
基板１０９と、基板１０９の上面に形成され、基板１０９の上面における一部の領域を囲繞し、一部の領域を露出させるための開口部１０６を規定する隔壁１０５と、一部の領域における領域を避けて形成され、領域の周囲に配置された親液層１０８と、開口部１０６内に形成され、領域の少なくとも一部および親液層１０８の上面に被着された半導体層１０７と、半導体層１０７を平面視した場合に、親液層１０８と重ならない領域において半導体層１０７に接触する一対の電極１０４Ｄと、を備え、開口部１０６の開口側面は撥液性を有し、親液層１０８の上面は、基板１０９の上面よりも高い親液性を有する。 |
