| 摘要 |
タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、不純物の鉄が０．８ｗｔｐｐｍ以下で、残部がタングステンとその他の不可避的不純物であり、ターゲット組織における鉄の濃度範囲が、平均含有濃度の±０．１ｗｔｐｐｍの範囲内であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。さらに、ターゲットの相対密度が９９％以上、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒径の範囲が５〜２００μｍであることを特徴とする上記タングステン焼結体スパッタリングターゲット。タングステン焼結体スパッタリングターゲットの鉄を低減させることにより、該タングステンターゲット中の異常粒成長を抑制することを課題とする。 |
