金属配線用基板洗浄剤および半導体基板の洗浄方法

摘要

本発明は、半導体素子の製造プロセスの化学機械研磨（ＣＭＰ）後洗浄工程における、（Ａ）含窒素複素環を有するカルボン酸および（Ｂ）アルキルヒドロキシルアミンを含有し、ｐＨが１０以上の水溶液を含んでなることを特徴とする、金属配線を有する基板用洗浄剤、ならびに当該洗浄剤を用いることを特徴とする、半導体基板の洗浄方法に関する。