| 摘要 |
熱電変換素子は、基板と、前記基板上に形成され、ＳｒとＴｉを含み第１のバンドギャップを有する第１のペロブスカイト型誘電体膜とＳｒとＴｉを含み、前記第１のバンドギャップよりも小さな第２のバンドギャップを有する第２のペロブスカイト型誘電体膜とを交互に積層した積層体と、前記積層体の下端に電気的に接続されて形成された第１の電極と、前記積層体の上端に電気的に接続されて形成された第２の電極と、を備え、前記第１および第２のペロブスカイト型誘電体膜はいずれもドープされて導電性を有し、前記第１および第２のペロブスカイト型誘電体膜は、それぞれの伝導帯の間に最大で０．５４ｅＶのバンドオフセットを生じる組成を有し、前記積層体の上端が第１の温度に曝され前記積層体の下端が第２の温度に曝されることにより、前記積層体の前記上端と下端の間に起電力を生じる。 |
