| 摘要 |
【課題】能動素子を形成した基板上に絶縁膜を介して形成された温度検出用ダイオードに要求される寿命と検出感度とを両立させることのできる半導体装置の駆動方法を提供する。【解決手段】温度検出用ダイオードに通電する電流密度の上限値を、該温度検出用ダイオードの寿命に基づいて規定すると共に、前記温度検出用ダイオードに通電する電流密度の下限値を、該温度検出用ダイオードの出力電圧の標準偏差に対するばらつき許容電圧に基づいて規定し、前記上限値と下限値の範囲において前記温度検出用ダイオードに通電する電流値を決定する。 |
