发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板包括显示区和非显示区,显示区包括晶体管,晶体管包括源极、漏极和有源层,源极和漏极设置在有源层的上方,且分别位于有源层的两端,在非显示区还设置有多个对位标记,对位标记与有源层同层设置,用于在源极和漏极重新制作时,使源极和漏极分别与有源层的两端对位。该阵列基板通过设置与有源层同层的对位标记,能使源极和漏极在重新制作(即Rework)时,源极的图形和漏极的图形能分别与有源层图形的两端实现精确对位,从而避免由于源极和漏极与有源层之间的对位偏差而使晶体管性能异常,进而避免了产品的报废所导致的不必要的浪费。 |
申请公布号 |
CN104299961B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410534573.2 |
申请日期 |
2014.10.11 |
申请人 |
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
蔡振飞;张健;宋星星 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种阵列基板,包括显示区和非显示区,所述显示区包括晶体管,所述晶体管包括源极、漏极和有源层,所述源极和所述漏极设置在所述有源层的上方,且分别位于所述有源层的两端,其特征在于,在所述非显示区还设置有多个对位标记,所述对位标记与所述有源层同层设置,用于在所述源极和所述漏极重新制作时,使所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端对位;所述有源层包括相互覆叠的半导体层和欧姆接触层,所述欧姆接触层设置在所述半导体层上,且所述欧姆接触层与所述源极和所述漏极相对应并接触,所述半导体层和所述欧姆接触层还覆盖所述非显示区;所述对位标记包括第一对位标记,所述第一对位标记形成在所述半导体层和所述欧姆接触层中;所述对位标记还包括第二对位标记,所述第二对位标记和所述第一对位标记相互间隔,所述第二对位标记形成在所述欧姆接触层中。 |
地址 |
230012 安徽省合肥市新站区工业园内 |