| 发明名称 | 单层二硫化钼薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，可以包括以下步骤：提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使三氧化钼粉末与硫蒸气反应生成气态的MoO<sub>3‑x</sub>并沉积到衬底上，其中0＜x≤1；将反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使硫蒸气与MoO<sub>3‑x</sub>反应，在衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，第一预设温度小于第二预设温度。本发明能够通过两步反应法能够获得大面积、层数可控的单层二硫化钼薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103757602B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201410027158.8 | 申请日期 | 2014.01.13 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 吴华强;袁硕果;李寒;钱鹤 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将所述硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将所述反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使所述三氧化钼粉末与所述硫蒸气反应生成气态的MoO<sub>3‑x</sub>并沉积到所述衬底上，其中0＜x≤1；将所述反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使所述硫蒸气与所述MoO<sub>3‑x</sub>反应，在所述衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度，所述硫粉所在位置与所述三氧化钼粉末所在位置的距离为5‑30cm。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||