改良器件产率的移送室测量方法

摘要

本发明提供例如在发光二极管(LED)的制造期间控制外延生长参数的设备与方法。实施例包括对III‑V族薄膜在当基板在高温下处于多腔室群集工具的移送室中时生长之后的PL测量。在其他实施例中，当所述基板安置于所述移送室中时，执行薄膜厚度测量、非接触电阻率测量及粒子和/或粗糙度测量。藉由基于来自安置于所述III‑V族薄膜下方的GaN基极层的发射来估计高温，而将在所述移送室中执行的测量中的一个或更多个测量在温度上校正至室温。在其他实施例中，温度校正基于所述GaN基极层的吸收能带边缘，所述吸收能带边缘由所收集的白光反射光谱来确定。然后，将经温度校正的测量方法用于控制生长工艺。

主权项

一种用于在基板的半导体基层上外延生长III‑V族膜的系统，所述系统包括：沉积腔室，所述沉积腔室用于生长所述III‑V族膜；移送室，所述移送室耦接至所述沉积腔室；激光源，所述激光源耦接至所述移送室，以在所述基板在大于室温的第一温度下安置于所述移送室中时，照射所述III‑V族膜的一区域；光谱仪，光谱仪耦接至所述移送室，所述光谱仪用于收集来自所述照射区域的发射光谱；以及系统控制器，所述系统控制器用于基于所收集的与所述半导体基层相关的发射光谱确定所述第一温度的估计，且用于基于所估计的温度和所收集的与所述III‑V族膜相关的发射光谱来估计所述III‑V族膜的室温能带隙能量。