| 发明名称 | 纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够简便且有效地改变纳米材料的塞贝克系数的值的纳米材料－掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料的接触工序、和除去上述溶剂的干燥工序，上述掺杂剂组合物含有特定的阴离子和<img file="DDA0001157688690000011.GIF" wi="68" he="63" />离子。 | ||
| 申请公布号 | CN106415866A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580027774.6 | 申请日期 | 2015.02.10 |
| 申请人 | 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学;积水化学工业株式会社 | 发明人 | 野野口斐之;河合壮;上绀屋史彦;大桥贤次;武田一宏 |
| 分类号 | H01L35/34(2006.01)I;C01B32/158(2017.01)I;C01B32/182(2017.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L35/22(2006.01)I;H01L35/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 李照明;段承恩 |
| 主权项 | 一种纳米材料－掺杂剂组合物复合体的制造方法，其特征在于，包含接触工序和干燥工序，在上述接触工序中使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料，该掺杂剂组合物用于改变该纳米材料的塞贝克系数，在上述干燥工序中除去上述溶剂，上述掺杂剂组合物含有阴离子和阳离子，上述阴离子是选自氢氧根离子、烷氧离子、含硫的离子、烷硫离子、氰根离子和羧酸根离子之中的至少一种，上述阳离子是<img file="FDA0001157688660000011.GIF" wi="66" he="65" />离子，在通过上述干燥工序而得到的纳米材料－掺杂剂组合物复合体中，阴离子和阳离子以相互解离的状态存在。 | ||
| 地址 | 日本奈良县 | ||