| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 氮化物半导体发光元件具备：基板(1)；和在基板(1)之上依次设置的n型氮化物半导体层(7)、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光层(15)、及p型氮化物半导体层(17)。n型氮化物半导体层(7)具有在从基板(1)侧朝向发光层(15)侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层(9)、第二n型氮化物半导体层(11)及第三n型氮化物半导体层(13)。第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度比第一n型氮化物半导体层(9)的n型掺杂剂浓度低。第三n型氮化物半导体层(13)的n型掺杂剂浓度比第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度高。在第二n型氮化物半导体层(11)、第三n型氮化物半导体层(13)和发光层(15)中局部形成有V凹坑构造(27)。V凹坑构造(27)的开始点(27C)的平均位置存在于第二n型氮化物半导体层(11)内。 | ||
| 申请公布号 | CN106415860A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580027376.4 | 申请日期 | 2015.05.12 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 井上知也 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 齐秀凤 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；和在所述基板之上依次设置的n型氮化物半导体层、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光层、以及p型氮化物半导体层，所述n型氮化物半导体层具有在从所述基板侧朝向所述发光层侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、以及第三n型氮化物半导体层，所述第二n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度比所述第一n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度低，所述第三n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度比所述第二n型氮化物半导体层的n型掺杂剂浓度高，在所述第二n型氮化物半导体层、所述第三n型氮化物半导体层和所述发光层中，局部形成有V凹坑构造，所述V凹坑构造的开始点的平均位置存在于所述第二n型氮化物半导体层内。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||