| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。 | ||
| 申请公布号 | CN106415830A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580002533.6 | 申请日期 | 2015.09.18 |
| 申请人 | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 | 发明人 | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 |
| 分类号 | H01L23/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，所述接合线含有选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1～100质量ppm，Sn≤10质量ppm、Sb≤10质量ppm、Bi≤1质量ppm。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||