包括N型和P型超晶格的电子装置

摘要

本文公开了一种超晶格和用于形成所述超晶格的方法。具体地讲，公开了一种所设计的形成超晶格的层状单晶结构。所述超晶格提供p型导电性或n型导电性，并且包括交替的基质层和杂质层，其中：所述基质层基本上由半导体材料组成；并且所述杂质层基本上由对应的施主材料或受主材料组成。

主权项

一种电子装置，包括：n型超晶格，所述n型超晶格提供n型导电性；以及p型超晶格，所述p型超晶格提供p型导电性；所述n型超晶格包括交替的基质层和施主杂质层，其中：所述基质层基本上由III族金属氮化物半导体材料组成；并且所述施主杂质层基本上由对应的施主材料组成；所述p型超晶格包括交替的基质层和受主杂质层，其中：所述基质层基本上由所述III族金属氮化物半导体材料组成；并且所述受主杂质层基本上由对应的受主材料组成。