| 发明名称 | 具有不同大小的鳍状部的多栅极晶体管 | ||
| 摘要 | 实施例包括一种装置，包括：非平面晶体管，该非平面晶体管包括鳍状部，该鳍状部包括具有源极区宽度和源极区高度的源极区、具有沟道区宽度和沟道区高度的沟道区、具有漏极宽度和漏极高度的漏极区、以及形成在沟道区的侧壁上的栅极电介质；其中，装置包括以下各项中的至少一项：(a)沟道区宽度比源极区宽度宽，以及(b)栅极电介质包括在第一位置处的第一栅极电介质厚度以及在第二位置处的第二栅极电介质厚度，第一位置和第二位置位于侧壁上的等同高度处，并且第一栅极电介质厚度和第二栅极电介质厚度彼此不相等。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN106415848A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201480079250.7 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | N·尼迪;C-H·简;R·W·奥拉-沃;张旭佑;N·L·迪亚斯;W·M·哈菲兹;R·拉马斯瓦米 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种装置，包括：非平面晶体管，所述非平面晶体管包括鳍状部，所述鳍状部包括具有源极区宽度和源极区高度的源极区、具有沟道区宽度和沟道区高度的沟道区、具有漏极宽度和漏极高度的漏极区、以及形成在所述沟道区的侧壁上的栅极电介质；其中，所述装置包括以下各项中的至少一项：(a)所述沟道区宽度比所述源极区宽度宽，以及(b)所述栅极电介质包括在第一位置处的第一栅极电介质厚度以及在第二位置处的第二栅极电介质厚度，所述第一位置和所述第二位置位于所述侧壁上的等同高度处，并且所述第一栅极电介质厚度和所述第二栅极电介质厚度彼此不相等。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||