一种发光效率增强的半导体激光器

摘要

本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。

主权项

一种发光效率增强的半导体激光器，该激光器包括激光器芯片、谐振腔面金属纳米颗粒、谐振腔前后腔面光学膜，所述谐振腔前后腔面光学膜，由激光器外延片在高真空环境中进行解理，制备金属纳米颗粒后在镀膜设备中进行谐振腔面光学膜制备，所述金属纳米颗粒均匀分布于半导体激光器谐振腔前后腔面，金属纳米颗粒位于解理面与腔面光学膜之间，其特征在于金属纳米颗粒产生的局域表面等离子体激元产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。