发明名称 |
在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的结构 |
摘要 |
描述了在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的器件。在一个实施例中,该方法包括提供带有具有晶格常数的顶表面的衬底以及将第一层沉积在衬底的顶表面上。第一层具有顶表面,该顶表面的晶格常数不同于衬底的顶表面的第一晶格常数。第一层被退火并抛光以形成抛光表面。第二层然后沉积在抛光表面之上。 |
申请公布号 |
CN104160478B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201180076458.X |
申请日期 |
2011.12.28 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
N·慕克吉;M·V·梅茨;J·M·鲍尔斯;V·H·勒;B·朱-金;M·R·勒梅;M·拉多萨夫列维奇;N·戈埃尔;L·周;P·G·托尔钦斯基;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
韩宏;陈松涛 |
主权项 |
一种形成异质层结构的方法,包括:提供带有具有第一晶格常数的顶表面的衬底;将第一层沉积在所述衬底的顶表面上,其中所述第一层带有具有第二晶格常数的顶表面,所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数;使所述第一层退火;抛光所述第一层,以形成具有第三晶格常数的第一抛光表面;以及将第二层沉积在所述第一抛光表面之上,其中所述第二层带有具有第四晶格常数的顶表面,所述方法还包括:使所述第二层退火,其中所述第四晶格常数不同于所述第三晶格常数;将覆盖层沉积在所述第二层的顶表面上,所述覆盖层具有等于所述第四晶格常数的晶格常数;抛光所述覆盖层以形成抛光的覆盖表面;以及将第三层沉积在所述抛光的覆盖表面之上,其中所述第三层带有具有第六晶格常数的顶表面。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |