发明名称 电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺
摘要 本发明公开了一种电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺。该工艺利用原有铜箔后处理设备,增加辅助脉冲电源,具体步骤包括:步骤①:采用硫酸H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>进行酸洗活化,去除铜箔表面氧化物;步骤②:铜基复合镀,在铜箔表面形成铜和高分子材料的复合镀层,将具有极性的高分子有机物均匀分布铜箔表面,并且极性端和铜镀层结晶组织牢固融合,非极性端露出镀层表面,从而能和树脂等非金属材料以化学键形式形成良好的结合力;步骤③:水洗,清洗铜箔表面残留溶液,防止铜箔氧化并进入后续加工工序。本发明可以根据电子工业发展需求随意调整铜箔表面的粗糙度,生产双面光滑表面铜箔,满足印制线路板精细线路、高Tg值、高桡性的发展趋势。
申请公布号 CN103866366B 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201410091370.0 申请日期 2014.03.13
申请人 江苏铭丰电子材料科技有限公司 发明人 潘勤峰
分类号 C25D9/02(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;C25D7/06(2006.01)I 主分类号 C25D9/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺,该工艺利用原有铜箔后处理设备,增加辅助脉冲电源,具体步骤包括:步骤①:采用硫酸H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>进行酸洗活化,去除铜箔表面氧化物;步骤②:铜基复合镀,在铜箔表面形成铜和高分子材料的复合镀层,将极性高分子有机物均匀分布铜箔表面,并且极性端和铜镀层结晶组织牢固融合,非极性端露出镀层表面,从而能和树脂非金属材料以化学键形式形成良好的结合力;步骤③:水洗,清洗铜箔表面残留溶液,防止铜箔氧化并进入后续加工工序。
地址 213000 江苏省溧阳市社渚镇工业集中区