包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法；一种包含具有所述所揭示结构的半导体装置的垂直晶体管装置阵列；及一种用于制作所述垂直晶体管装置阵列的方法。

主权项

一种半导体装置结构，其包括：台面，其在衬底上面延伸，所述台面包括：沟道区，其在所述台面的第一侧与第二侧之间；第一栅极，其在所述台面的所述第一侧上，所述第一栅极包括：第一栅极绝缘体；及第一栅极导体，其包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯；另一台面，其在所述衬底上面延伸；另一栅极，其在所述另一台面的一侧上，所述另一栅极包括：另一栅极绝缘体；及另一栅极导体，其包括上覆于所述另一栅极绝缘体上的石墨烯；以及金属籽晶，其接触所述第一栅极的所述第一栅极导体并接触所述另一栅极的所述另一栅极导体，且所述金属籽晶在所述第一栅极的所述第一栅极导体和所述另一栅极的所述另一栅极导体之间延伸。