| 发明名称 | 一种具有高抗静电能力的LED外延片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高抗静电能力的LED外延片，包括衬底，以及在衬底上依次层叠生长的缓冲层，u型GaN层、n型GaN层，量子阱层以及p型GaN层，n型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的n型浓度变化层，p型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的p型浓度变化层。本发明提高了LED外延片的抗静电能力。 | ||
| 申请公布号 | CN106409998A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610961636.1 | 申请日期 | 2016.11.04 |
| 申请人 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 发明人 | 李风浪;李舒歆 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 连平 |
| 主权项 | 一种具有高抗静电能力的LED外延片，包括衬底，以及在衬底上依次层叠生长的缓冲层，u型GaN层、n型GaN层，量子阱层以及p型GaN层，其特征在于：n型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的n型浓度变化层，p型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的p型浓度变化层。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 | ||