一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga₂O₃薄膜(Zn:Ga₂O₃)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga₂O₃靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga₂O₃薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

主权项

一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器，其特征在于由Zn:Ga₂O₃薄膜、蓝宝石衬底和Au/Ti叉指电极组成，所述的Zn:Ga₂O₃薄膜厚度为150‑200nm，位于蓝宝石衬底上，面积与蓝宝石衬底相同，Au/Ti叉指电极位于Zn:Ga₂O₃薄膜上，包括Ti薄膜电极和Au薄膜电极，Ti薄膜电极厚度为30nm，Au薄膜电极在Ti薄膜电极的上方，厚度为70nm，Au/Ti叉指电极的长度为2800微米，宽度为200微米、间距为200微米。