一种新型晶体硅太阳能电池结构及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P⁺掺杂层，在所述负电极的内侧设有N⁺掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P⁺掺杂层和N⁺掺杂层，所述P⁺掺杂层和N⁺掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P⁺掺杂层和N⁺掺杂层的角度与入射光平行。本发明采用了激光掺杂的办法形成了纵向的PN结，使太阳光直接入射到单晶硅吸收层，有效避免了常规电池的P⁺掺杂层和N⁺掺杂层对太阳光的吸收造成的光损失，从而有效提高电池的转换效率。

主权项

一种新型晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P⁺掺杂层，在所述负电极的内侧设有N⁺掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P⁺掺杂层和N⁺掺杂层，所述P⁺掺杂层和N⁺掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P⁺掺杂层和N⁺掺杂层的角度与入射光平行。