一种形成梯形结构的存储堆栈的方法

摘要

本发明涉及三维存储器领域，尤其涉及一种形成梯形结构的存储堆栈的方法，通过将氮氧化层分成若干组分开沉积，每沉积形成一组氮氧化层组之后，进行刻蚀以形成一梯形结构，接着沉积层间介质层以填补刻蚀掉的部位并平坦化该层间介质层，使其与梯形结构等高；之后再在形成的梯形结构上再沉积第二部分氮氧化层组以及第二部分层间介质层，并重复上述步骤直到所有的梯形结构形成。通过这样的方式以灵活适应现有3D NAND器件氮氧化层组高度逐渐增高的问题，且最终形成的梯形结构更加精准，保证了3D NAND器件的整体运行。

主权项

一种形成梯形结构的存储堆栈的方法，运用于三维NAND，其特征在于，包括：S1，提供一半导体衬底；S2，于所述半导体衬底之上形成第一氮氧化层组；S3，刻蚀所述第一氮氧化层组以形成第一梯形结构；S4，沉积第一层间介质层填补所述刻蚀部位；S5，平坦化所述第一层间介质层，以使所述第一层间介质层的高度与所述第一氮氧化组的高度一致；S6，重复上述步骤S2~S5，形成第N氮氧化层组、第N梯形结构和第N层间介质层，以形成所述梯形结构的存储堆栈；其中，所述N为大于等于2的正整数。