| 发明名称 | 制作半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构、一第一硬掩模设于栅极结构上以及一层间介电层环绕栅极结构及第一硬掩模。然后去除部分第一硬掩模，形成一第一硬掩模层于第一硬掩模及层间介电层上，最后平坦化部分第二硬掩模层以形成一第二硬掩模于第一硬掩模上。 | ||
| 申请公布号 | CN106409764A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201510479380.6 | 申请日期 | 2015.08.03 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖端泉;陈益坤;戴锦华 |
| 分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有栅极结构、第一硬掩模设于该栅极结构上以及层间介电层环绕该栅极结构及该第一硬掩模；去除部分该第一硬掩模；形成一第二硬掩模层于该第一硬掩模及该层间介电层上；以及平坦化部分该第二硬掩模层以形成一第二硬掩模于该第一硬掩模上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||