发明名称 |
一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、液晶显示装置 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、液晶显示装置,涉及显示技术领域,可以使薄膜晶体管的制备工艺更为简单,并且可以避免光致漏电流和空穴漏电流的产生;该薄膜晶体管包括:依次设置在衬底基板上的栅极、非晶硅层和欧姆接触层,所述栅极的尺寸小于所述非晶硅层的尺寸;在此基础上,所述薄膜晶体管还包括:设置在所述非晶硅层与所述衬底基板之间的挡光层,所述挡光层与未被所述栅极遮挡的非晶硅层的其余部分对应且超出所述非晶硅层。用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板、包括该阵列基板的液晶显示装置的设计及制造。 |
申请公布号 |
CN104157696B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410340379.0 |
申请日期 |
2014.07.16 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
肖昂 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括依次设置在衬底基板上的栅极、非晶硅层和欧姆接触层,其特征在于,所述栅极的尺寸小于所述非晶硅层的尺寸;所述薄膜晶体管还包括:设置在所述非晶硅层与所述衬底基板之间的挡光层,所述挡光层与未被所述栅极遮挡的非晶硅层的其余部分对应且超出所述非晶硅层;所述挡光层与所述栅极同层且为一体化结构;其中,所述挡光层远离所述衬底基板的表面的材料为对所述栅极材料进行氧化后得到,所述挡光层的其余部分的材料与所述栅极材料相同。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |