具有镀铝背表面场的光伏器件及其形成方法

摘要

提供了一种光伏器件，其包括：包括p‑n结的半导体衬底，所述p‑n结具有一个在另一个的顶上的p‑型半导体部分和n‑型半导体部分。多个构图的抗反射涂层位于所述半导体衬底的p‑型半导体表面上，其中所述半导体衬底的所述p‑型半导体表面的至少一部分被暴露。铝直接位于所暴露的所述半导体衬底的所述p‑型半导体表面的所述至少一部分上。

主权项

一种光伏器件，包括：包括p‑n结的半导体衬底，所述p‑n结具有一个在另一个的顶上的p‑型半导体部分和n‑型半导体部分；多个构图的抗反射涂层，其位于所述半导体衬底的p‑型半导体表面上，其中所述半导体衬底的所述p‑型半导体表面的至少一部分被暴露；铝，其通过电沉积形成且直接位于所暴露的所述半导体衬底的所述p‑型半导体表面的所述至少一部分上；以及所述铝上的一个或多个金属层，所述一个或多个金属层完全覆盖所述铝层且部分地覆盖所述多个构图的抗反射涂层，其中所述多个构图的抗反射涂层的至少一部分暴露。