光电子半导体芯片

摘要

在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）。此外，半导体芯片（1）具有在半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）和在与辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）。此外，半导体芯片（1）包含至少两个沟道（5），所述沟道（5）从辐射主侧（23）伸展至下侧（24）。在辐射主侧（23）的俯视图中看，上侧接触结构（3）和下侧接触结构（4）彼此间隔地布置。同样在辐射主侧（23）的俯视图中看，沟道（5）位于上侧接触结构（3）与下侧接触结构（4）之间。

主权项

一种光电子半导体芯片（1），具有：‑半导体层序列（2），所述半导体层序列具有至少一个有源层（20）；‑在所述半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）；‑在所述半导体层序列（2）的与所述辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）；和‑至少两个沟道（5），所述沟道从所述辐射主侧（23）朝所述下侧（24）的方向伸展，其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述上侧接触结构（3）和所述下侧接触结构（4）在所述辐射主侧（23）的至少一个区域中彼此间隔，并且所述沟道（5）在所述区域中布置在所述上侧接触结构（3）与所述下侧接触结构（4）之间，其中所述上侧接触结构（3）具有：接触区域（37），以用于安置接合线（7）；至少一个中间连接部（31），所述中间连接部延伸远离所述接触区域（37）并且所述中间连接部并不设置用于将电流注入到所述半导体层序列（2）中；和多个接触指（33），所述接触指延伸远离所述中间连接部（31）并且所述接触指设置用于将电流注入到所述半导体层序列（2）中，其中所述沟道（5）分别沿着所述中间连接部（31）延伸并且位于两个相邻的接触指（33）之间。