| 发明名称 | 用于半导体器件的电接触结构和半导体器件 | ||
| 摘要 | 提出一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加第一金属接触层(2)；第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层(2)；和分离层(4)，所述分离层设置在透明导电接触层(1)和第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将第二金属接触层(3)与透明导电接触层(1)分离。此外，提出一种具有这种电接触结构(10)的半导体器件(100)。 | ||
| 申请公布号 | CN106415871A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580028224.6 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;比约恩·米曼;卡尔·恩格尔;克里斯蒂安·艾兴格 |
| 分类号 | H01L51/44(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：‑透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加有第一金属接触层(2)；‑第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)；和‑分离层(4)，所述分离层设置在所述透明导电接触层(1)和所述第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将所述第二金属接触层(3)与所述透明导电接触层(1)分离。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||