| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。 | ||
| 申请公布号 | CN106415837A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201480065081.1 | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 长尾胜久;川本典明 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，包含：SiC半导体层；多个单元，形成于所述SiC半导体层，通过规定的控制电压接通/关断控制；控制电极，与在接通时形成沟道的所述单元的沟道区域相对；控制焊盘，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与所述控制电极在物理上分离，但是，电连接于所述控制电极；以及内置电阻，被配置在所述控制焊盘的下方，由将所述控制焊盘和所述控制电极电连接的多晶硅构成。 | ||
| 地址 | 日本京都市 | ||