半导体晶片、由半导体晶片单片化而得的半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的部。

主权项

一种半导体晶片，其特征在于，包括：衬底(23)；层叠在所述衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；多个元件区域(20)，其具有设置在所述GaN类半导体膜(24)上的半导体元件(30)和设置在所述GaN类半导体膜(24)上并且以包围所述半导体元件(30)的方式配置的金属环(22)；层叠在所述GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25、125、225)；和切割区域(21)，其具有在所述电介质膜(25、125、225)上开口，并且以划分所述元件区域(20)的方式沿着所述金属环(22)的外周，不贯通所述电介质膜(25、125、225)地设置成格子状的切割槽(27)，在所述切割槽(27)的底面，所述切割槽(27)的所述元件区域(20)侧的端部高于或低于所述切割槽(27)的宽度方向的中央部。