发明名称 |
一种DFB激光器的外延结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种DFB激光器的外延结构,包括InP衬底,在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层;在光栅层上面设置有二次外延层,所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层,所述光栅包层包括光栅覆盖层和过渡层,所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度。本发明还公开上述DFB激光器外延结构的制备方法,其光栅覆盖层采用低温、脉冲式慢速生长,且同时通入850sccm‑950sccm的PH<sub>3</sub>气体,抑制光栅层P的挥发;过渡层采用高温、快速生长。本发明能防止光栅层被刻蚀,提升DFB激光器外延结构品质,降低DFB激光器的应用成本。 |
申请公布号 |
CN106410606A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610514060.4 |
申请日期 |
2016.07.01 |
申请人 |
单智发 |
发明人 |
单智发 |
分类号 |
H01S5/12(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/12(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 |
代理人 |
汤云武 |
主权项 |
一种DFB激光器的外延结构,包括InP衬底,在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层;在光栅层上面设置有二次外延层,其特征在于:所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层,所述光栅包层自下而上包括光栅覆盖层和过渡层,所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度。 |
地址 |
361000 福建省厦门市湖里区火炬东路11号 |