一种提高NAND FLASH可靠性的方法及装置

摘要

本发明涉及闪存技术领域，具体涉及一种提高NAND FLASH可靠性的方法及装置，所述方法包括如下步骤：NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。本发明的有益效果在于：本发明抓住了掉电需要保护的关键操作‑编程操作，通过保证掉电时完成整个编程操作，有效避免了掉电对NANDFLASH数据的损坏，保证了使用NANDFLASH终端的数据可靠性。

主权项

一种提高NAND FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：在使用过程中，NAND FLASH进行读取、擦除或编程的操作；NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；所述NAND FLASH包括支持完成一次NAND的编程操作的电容；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。