METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

摘要

반도체 장치의 특성의 편차를 억제한다. 철 구조를 가지고 제1 실리콘 함유층이 형성된 기판을 연마하는 공정; 연마후의 제1 실리콘 함유층의 면내의 막 두께 분포 데이터를 취득하는 공정; 막 두께 분포 데이터에 기초하여 기판의 중심측의 막 두께와 기판의 외주측의 막 두께와의 차이를 작게 하는 처리 조건을 결정하는 공정; 및 처리 가스를 공급하여 제2 실리콘 함유층을 형성하는 것과 함께, 처리 조건에 기초하여 기판의 중심측에서의 처리 가스의 활성종의 농도와 기판의 외주측에서의 처리 가스의 활성종의 농도가 다르도록 처리 가스를 활성화시켜서 제1 실리콘 함유층과 제2 실리콘 함유층과의 적층막의 막 두께를 보정하는 공정;을 포함한다.