| 摘要 |
본 발명은 매우 높은 해상성을 가지고, LER가 작으며, 직사각형성이 우수한 패턴의 형성이 가능한 레지스트막을 형성할 수 있는 레지스트 조성물의 베이스 수지로서 적합한 고분자 화합물을 제공한다. 본 발명은 하기 일반식(1c)으로 표시되는 반복 단위와, 하기 일반식(2)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복 단위에서 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물을 제공한다.(식 중, M은 하기 일반식(a)으로 표시되는 술포늄 양이온 또는 하기 일반식(b)으로 표시되는 요오도늄 양이온을 나타낸다.) |
