| 发明名称 | 一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管及制备方法，该光电二极管包括衬底，所述衬底上依次生长有n型AlGaN外延层、p型AlGaN外延层和p型GaN接触层；所述n型AlGaN外延层上设有n型接触电极，所述p型GaN接触层上设有p型接触电极。本发明只采用电子作为有源载流子的高速、高速饱和输出，使得紫外光电二极管具备了高响应速率和高速饱和电流，同时获得了高量子效率，并减少了紫外光电二极管的损耗等特点；而且制作工艺简单、成本低、易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN106409965A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201611052134.3 | 申请日期 | 2016.11.24 |
| 申请人 | 聊城大学 | 发明人 | 范鑫烨;白成林;张霞;房文敬;王欢欢;王秋国 |
| 分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 汤财宝 |
| 主权项 | 一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次生长有n型AlGaN外延层、p型AlGaN外延层和p型GaN接触层；所述n型AlGaN外延层上设有n型接触电极，所述p型GaN接触层上设有p型接触电极。 | ||
| 地址 | 252000 山东省聊城市聊城大学物理科学与信息工程学院 | ||