发明名称 |
立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法 |
摘要 |
本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法,在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时,能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括:气体供给部,其用于向反应容器内供给成膜气体;以及气体分布调整构件,其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且,气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件,第1板状构件具有第1表面积,第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。 |
申请公布号 |
CN106409718A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201510461147.5 |
申请日期 |
2015.07.30 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
本山丰;福岛讲平;松永正信;田吹圭司;户根川大和 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种立式热处理装置,其在立式的反应容器内在将表面形成有凹凸的多个被处理基板保持于基板保持件的状态下利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理,其特征在于,该立式热处理装置包括:气体供给部,其用于向所述反应容器内供给成膜气体;以及气体分布调整构件,其以分别位于比保持于所述基板保持件的多个所述被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置,所述气体分布调整构件包含第1板状构件和第2板状构件,该第1板状构件和第2板状构件以分别位于上下的方式设于比所述基板保持件的顶板靠下方的位置且是比所述基板保持件的底板靠上方的位置,在该第1板状构件和第2板状构件上分别形成有凹凸,所述第1板状构件具有第1表面积,所述第2板状构件具有与所述第1表面积不同的第2表面积。 |
地址 |
日本东京都 |