包括半导体光源的加热系统

摘要

本发明描述了一种将物体（150,950）的加热表面（180）加热到至少100℃的处理温度的加热系统（100）和对应方法，其中所述加热系统（100）包括半导体光源（115），并且其中所述加热系统（100）被适配成用至少50个半导体光源（115）同时对加热表面（180）的面积元件进行加热。加热系统（100）可以是用于处理半导体结构的反应器的一部分。借助于半导体光源（115）发射的光在加热表面（180）处重叠。一个单个半导体光源（115）的特性的差异可以在加热表面（180）处被模糊，使得可能够实现例如跨晶片的处理表面的均匀温度分布。

主权项

一种用于将物体（150,950）的加热表面（180）加热到至少100℃的处理温度的加热系统（100），其中所述加热系统（100）包括半导体光源（115），并且其中所述加热系统（100）被适配成用至少50个半导体光源（115）同时对加热表面（180）的面积元件进行加热，其特征在于半导体光源（115）是垂直腔面发射激光器，其中所述加热系统（100）被适配成对加热表面（180）进行加热，使得晶片（960）的处理表面（980）的第一部分的第一局部温度与不同于处理表面（980）的第一部分的、所述晶片（960）的处理表面（980）的第二部分的第二局部温度偏差小于0.5%，其中所述半导体光源（115）被布置在子模块（110）中，所述加热系统（100）包括电驱动器（450），并且所述电驱动器（450）被适配成同时驱动一个子模块（110）中的所有半导体光源（115），并且其中所述子模块（110）和/或电驱动器（450）被布置为使得所述晶片（960）的处理表面（980）被均匀地加热到定义的温度。