发明名称 | 提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法,该方法是在腐蚀槽外绕线圈,当线圈通交流电时,线圈内部(即腐蚀槽中)将产生变化的磁场,在变化的磁场周围存在感生电场,感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比。一方面,由于在感生电场的作用下,离硅片腐蚀中心越远,感生电场越大,正负离子热运动越快,导致沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深,同时,提高氢氟酸溶液在径向方向浓度的一致性;另一方面,正常恒流腐蚀下,随离腐蚀中心越远,沿径向方向物理厚度缓慢变小,在一定条件下,二者达到动态平衡,从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性,保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。 | ||
申请公布号 | CN106409705A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
申请号 | CN201611007059.9 | 申请日期 | 2016.11.16 |
申请人 | 湖南文理学院 | 发明人 | 龙永福 |
分类号 | H01L21/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/62(2006.01)I |
代理机构 | 常德市源友专利代理事务所 43208 | 代理人 | 易炳炎 |
主权项 | 一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法,其特征在于,在腐蚀槽外绕线圈,并给线圈通交流电。 | ||
地址 | 415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道3150号 |