| 发明名称 | 一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法，所述方法包括如下步骤：a)搭建纤芯错位熔接干涉结构，所述纤芯错位熔接干涉结构包括依次连接的泵浦源，波分复用器，增益光纤，第一单模光纤，第二单模光纤，第三单模光纤和光谱分析仪；b)对第一单模光纤，第二单模光纤和第三单模光纤进行光纤错位熔接；c)测量待测温控装置的外加磁场：将第一单模光纤、第二单模光纤和第三单模光纤与温控装置组合为一体，在外加磁场的条件下对传感器实现拉伸、弯曲、振动或挤压，引起纤芯失配干涉仪偏振态发生相应变化，利用下述公式，确定传感器所受到的磁场：Y＝aX‑b，其中X为磁场浓度，Y为变化波长，a，b为常数。 | ||
| 申请公布号 | CN106405447A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610741697.7 | 申请日期 | 2016.08.26 |
| 申请人 | 北京信息科技大学 | 发明人 | 何巍;祝连庆;娄小平;董明利;庄炜;张钰民;李红 |
| 分类号 | G01R33/032(2006.01)I;G01R33/00(2006.01)I;G01D5/353(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/032(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人 | 顾珊;庞立岩 |
| 主权项 | 一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法，所述方法包括如下步骤：a)搭建纤芯错位熔接干涉结构，所述纤芯错位熔接干涉结构包括依次连接的泵浦源，波分复用器，增益光纤，第一单模光纤，第二单模光纤，第三单模光纤和光谱分析仪；b)对第一单模光纤，第二单模光纤和第三单模光纤进行光纤错位熔接；c)测量待测温控装置的外加磁场：将第一单模光纤、第二单模光纤和第三单模光纤与温控装置组合为一体，在外加磁场的条件下对传感器实现拉伸、弯曲、振动或挤压，引起纤芯失配干涉仪偏振态发生相应变化，利用下述公式，确定传感器所受到的磁场：Y＝aX‑b，其中X为磁场浓度，Y为变化波长，a，b为常数。 | ||
| 地址 | 100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院 | ||