发明名称 |
减少模拟浮栅存储器中的保持损失 |
摘要 |
对集成电路执行调节过程,所述集成电路包括浮栅器件,例如模拟或其他电路中的浮栅电容器或晶体管,在模拟或其他电路中所述器件被编程到特定电平。在将浮栅器件初始编程(22)到特定编程电平之后,对集成电路进行调节烘烤(24),然后重新修整(26)回到初始编程电平。在浮栅器件处弱保留的那部分电荷通过调节烘烤移除,而重新修整用更强保留(更高的活化能)编程电荷代替该电荷。 |
申请公布号 |
CN106415839A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201580031217.1 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
德克萨斯仪器股份有限公司 |
发明人 |
A·T·米切尔 |
分类号 |
H01L27/11558(2017.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C29/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11558(2017.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
徐东升;赵蓉民 |
主权项 |
一种设置半导体集成电路中的模拟电路的修整电平的方法,所述模拟电路包括浮栅器件,所述方法包括:将所述浮栅器件电编程到第一修整电平;然后在升高的温度下将所述集成电路烘烤达选择的持续时间;以及然后再次将所述浮栅器件电编程到约等于或大于所述第一修整电平的第二修整电平。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |