发明名称 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
摘要 本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法,所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极,其中,所述量子点发光层至少有一面设置有成周期排布的多个凹槽。本发明通过在发光层中设置成周期排布的凹槽,增加载流子传输层与量子点发光层材料之间的接触面积,从而提高载流子注入量子点发光层的效率;还可减少载流子在量子点之间传输的阻隔,使更多的激子可通过载流子直接注入或较短的量子点之间迁移形成;还具有降低量子点之间解离激子的作用;还可减少因载流子注入、传输不平衡导致形成大量激子‑载流子的三体结构,减少激子猝灭;同时还可利用光栅耦合原理,增加二极管的光耦合以及光出射效率。
申请公布号 CN106410056A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610974932.5 申请日期 2016.11.07
申请人 TCL集团股份有限公司 发明人 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人 王永文;刘文求
主权项 一种量子点发光二极管器件,依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极,其特征在于,所述量子点发光层至少有一面设置有成周期排布的多个凹槽。
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